全球第一款成功跨越百GB容量速度门槛的闪存盘技术

中新网9月3日电 日前，全球领先的移动存储厂商朗科发布的全新U217闪存盘引起广泛关注。其顺序读写速度达到32MB/sec和21MB/sec，随机读写速度达到32MB/sec和12MB/sec。

据悉组策略控制u盘读写，2008年闪存盘产品的平均读写速度约为10MB/sec（注：一般读12~18，写5~8)，而这个速度通常是指连续读写大小超过 100MB 单个文件的速度，如果在一个文件夹中存放几十个或上百个文件组策略控制u盘读写，然后复制这个文件夹，复制速度会急剧下降 4~5 倍，只有 1~3MB/秒左右——这是随机写入速度。

“朗科U217的最大设计容量为128GB，这是闪存盘的全新时代，这个时代对读写速度的要求与以往完全不同。” 有业内分析人士表示，它不仅要求闪存盘的连续读取写入速度要足够快，其随机读写速度也应该能够跟上“扩容”的步伐。

朗科U217通过独特的技术手段，成功将闪存盘的随机写入速度提升至12MB/秒。

据悉，朗科的三大闪存技术主要通过“闪存芯片控制加速、双通道双倍速和nSpeed加速技术”三种方式实现速度的显着提升。其中，新的闪存控制技术可以将闪存盘的读写速度提升30%~40%。双通道技术直接将闪存盘的读写技术翻倍。

特别值得一提的是nSpeed技术。据朗科技术人员介绍，目前的操作系统都是针对传统硬盘设计的，包括很多优化传统机械硬盘的机制。然而，这些优化机制对闪存盘是无效的甚至是有害的，以至于闪存盘无法发挥其应有的性能的100%。

“朗科nSpeed加速技术为优化闪存盘性能而生，在当前操作系统下，使闪存盘成功突破主机端限制，闪存读写速度飙升垂直。” 朗科相关技术人员表示。

IT行业总是以一种新产品来标志着一个时代的开始，比如P4、winXP、液晶显示器，甚至光电鼠标、无线鼠标……有业内人士表示；朗科 U217 似乎在闪存驱动器容量方面发挥了类似的作用。”